一种基于PMOS管的GaN功放脉冲调制电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于PMOS管的GaN功放脉冲调制电路，涉及功放脉冲调制领域，包括驱动电路和PMOS管，所述驱动电路包括驱动器U1和与驱动器U1连接的电源滤波去耦电路、芯片内部供电滤波去耦电路、使能信号处理电路、上电延时电路、电荷泄放电路；所述驱动器U1包括10个引脚，按顺序依次为引脚VDD2、引脚INPUT、引脚EN、引脚CAP、2个引脚GND、引脚DOWN、引脚VS、引脚OUTPUT、引脚VB，所述驱动器U1的引脚OUTPUT通过电阻R3与PMOS管的栅极G连接；所述PMOS管还连接有PMOS管储能滤波电路、过冲吸收电路和PMOS管输出滤波电路。本实用新型满足T/R组件应用场景的小型化、轻量化，成本低，稳定性高。
基本信息
专利标题 ：
一种基于PMOS管的GaN功放脉冲调制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021311292.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-07
授权号 ：
CN212518934U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
蔡钟斌
申请人 ：
四川中久防务科技有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市涪城区绵安路35号
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨保刚
优先权 ：
CN202021311292.8
主分类号 ：
H03K7/00
IPC分类号 ：
H03K7/00
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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