一种可调谐太赫兹吸波器
授权
摘要
本实用新型公开一种可调谐太赫兹吸波器,从底部向上依次包括金属层、掺杂硅层、钛酸锶(STO)层、石墨烯层;所述掺杂硅层、所述STO层、所述石墨烯层周期性排列在所述金属层上,排列周期小于入射波长。石墨烯在太赫兹波段具有巨大的吸收率,并且在该吸波器上施加电压会改变石墨烯层的化学势,实现吸收振幅调谐;硅作为一种半导体材料,通过外界的光泵浦会改变载流子浓度,实现吸收振幅调谐;STO是一种热敏感材料,通过改变外界温度,实现中心频率调谐。本实用新型通过电、光、热三种调控方式实现吸波器的吸收振幅和中心频率的独立可调。本实用新型结构简单,容易加工,且吸收调谐效果较好。适用于电磁抗干扰及现代通信系统。
基本信息
专利标题 :
一种可调谐太赫兹吸波器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021332185.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-09
授权号 :
CN212162092U
授权日 :
2020-12-15
发明人 :
王金凤郎婷婷王钢棋张锦晖肖美玉岑文洋余振宇
申请人 :
中国计量大学
申请人地址 :
浙江省杭州市学源街258号中国计量大学
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202021332185.3
主分类号 :
H01Q17/00
IPC分类号 :
H01Q17/00 G02B5/00
相关图片
法律状态
2020-12-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212162092U.PDF
PDF下载