一种新型IGBT半桥模块结构
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摘要
本实用新型公开了一种新型IGBT半桥模块结构，包括基板，所述基板的底部固定连接有导热层，所述导热层的底部固定连接有散热片，所述散热片的底部固定连接有冷却板，所述冷却板的内腔固定连接有冷却管，所述基板的顶部固定连接有焊接层，两侧焊接层的顶部均固定连接有DBC板，所述DBC板相反的一侧开设有凹槽，所述凹槽内壁的底部固定安装有温度传感器，所述DBC板顶部的中端固定连接有铜板。本实用具备防护性好的优点，解决了现有的IGBT半桥模块在工作的过程中防护性较差，不便于对IGBT半桥模块工作时的温度进行检测，并对IGBT半桥模块进行散热，不便于对IGBT半桥模块的静电进行消除，容易影响IGBT半桥模块使用寿命的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种新型IGBT半桥模块结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021338541.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-09
授权号 ：
CN212542429U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
邱秀华邱嘉龙朱永斌何祖辉
申请人 ：
浙江天毅半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区平江路328号6幢一层
代理机构 ：
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹玉清
优先权 ：
CN202021338541.2
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/367 H01L23/60 H01L23/498 G01K13/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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