一种半导体真空金属烧结装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体真空金属烧结装置，包括门口、装置本体、内筒和旋转筒，所述装置本体外部的一侧通过螺钉固定安装有控制面板，且控制面板的内部镶嵌有单片机，所述装置本体外部一端的中心位置固定安装有门口，所述装置本体顶部通过螺钉固定安装有第一气箱，所述装置本体顶部靠近第一气箱的一端通过螺钉固定安装有气泵，且气泵上连接有第一连接管，所述第一连接管的一端连接第一气箱的内部，本实用新型通过装置抽真空后，然后启动气泵，气泵把第一气箱中的惰性气体通入到装置本体中，装置本体就会把装置中剩余的空气排出，从而惰性气体会形成保护，防止半导体中的金属件被氧化，防止出现质量问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体真空金属烧结装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021343799.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-09
授权号 ：
CN213278015U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
金永春
申请人 ：
无锡永井电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区锡贤路78号5号楼二层东
代理机构 ：
苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶晓龙
优先权 ：
CN202021343799.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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