一种便于晶体硅电池片的超高倍速光衰测试装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种便于晶体硅电池片的超高倍速光衰测试装置，包括光衰检测装置本体，所述光衰检测装置本体正面的底部固定连接有支撑板，所述支撑板的顶部活动安装有检测盘，所述检测盘的顶部设置有电池片，所述电池片通过胶条粘黏在检测盘的顶部，所述支撑板顶部的右侧设置有刮胶板。本实用新型解决了现有光衰检测装置电池板检测时需要胶条固定，在检测完成后需要撕开胶条进行下次检测，其检测效率低下，设备停运时间长，造成了检测量减少的现象，不便于检测的问题，具备检测效率高的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种便于晶体硅电池片的超高倍速光衰测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021355453.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-12
授权号 ：
CN212658786U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
阮杰杰邓婷刘宇超
申请人 ：
上海固竹环境测控技术有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区车墩镇朝阳路20号4幢301室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021355453.3
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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