过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路

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摘要

本实用新型提供一种过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路，其中，过压检测电路包括：带隙基准电压产生电路，其用于产生带隙基准电压BG，其包括运算放大器OP、第一双极型晶体管Q1和第二双极型晶体管Q2；分压电路，其用于基于受检输入电压产生第一检测电压；比较器Comp1，其第一输入端接收所述带隙基准电压BG，其第二输入端接收所述第一检测电压；其中，所述第一双极型晶体管和第二双极型晶体管为PNP双极型晶体管。与现有技术相比，本实用新型中，用于实现电压检测和/或电流检测的双极型晶体管可以采用普通的CMOS工艺中寄生的PNP型双极型晶体管，从而减少光刻步骤，进而降低芯片的生产成本。

基本信息

专利标题：

过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021382796.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-14

授权号：

CN212622792U

授权日：

2021-02-26

发明人：

王钊

申请人：

无锡中感微电子股份有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新区清源路18号太湖国际科技园传感网大学科技园530大厦A1001

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021382796.9

主分类号：

G01R19/165

IPC分类号：

G01R19/165