电解装置
授权
摘要
本申请提供了一种电解装置，包括用于盛装氢氧根离子溶液的储液箱、安装于储液箱的外周面上的离子交换膜、容置储液箱的阳极网篮和伸入氢氧根离子溶液中的阴极棒。当电解装置通电电解时，主槽内的六价锰离子通过离子交换膜进入储液箱中，并与氢氧根离子进行氧化还原反应，六价锰离子被氧化为有助于电路板蚀刻的七价锰离子，还被还原为二氧化锰沉淀，沉积于储液箱中；七价锰离子可穿过离子交换膜返回至主槽内。因此，该电解装置可将六价锰离子氧化还原，从而降低六价锰离子对药水的稀释，有助于药水的重复使用，提高对电路板的蚀刻效果，进而提高电路板的良率。
基本信息
专利标题 ：
电解装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021407564.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-16
授权号 ：
CN212955355U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
陈德和
申请人 ：
东莞宇宙电路板设备有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市凤岗镇浸校塘振塘路1号
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐汉华
优先权 ：
CN202021407564.4
主分类号 ：
C23F1/46
IPC分类号 ：
C23F1/46 C25B9/19 C25B1/21
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/46
蚀刻组合物的再生
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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