一种MOSFET浪涌保护电路

授权

摘要

本实用新型一种MOSFET浪涌保护电路，用于交流转直流开关电源中，包括MOSFET管、主控IC及连接主控IC的VCC引脚的IC VCC电源电路，MOSFET管的栅极连接主控IC的Gate引脚、源极接地、漏极接与母线电压Vbus连接的变压器一端，为IC提供直流电压供电的主控IC VCC电源电路的二极管一经电阻连接变压器另一绕组的Vout2端，还包括通过Vout2为IC VCC电源电路提供电源的VCC电源电路、控制主控IC供电电源通断的控制电路，该控制电路连在IC VCC电源电路和VCC电源电路之间。其在单级功率因数校正拓扑的LED驱动器中具有保护精度高，具备滞回功能，温度特性好等优点。

基本信息

专利标题：

一种MOSFET浪涌保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021455839.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-22

授权号：

CN212695707U

授权日：

2021-03-12

发明人：

郭建军彭国建马治军单宛君任杰

申请人：

上海维安半导体有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区施湾七路1001号

代理机构：

上海东亚专利商标代理有限公司

代理人：

董梅

优先权：

CN202021455839.1

主分类号：

H02H7/12

IPC分类号：

H02H7/12 H02H7/125 H03K17/08 H03K17/081