一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路
授权
摘要
本实用新型公开一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，包括第一MOS管、三极管、第一电阻、二极管、第一恒流开关模块、第二恒流开关模块及触发源，第一MOS管的栅极分别与三极管的发射极和第一恒流开关模块连接，第一MOS管的漏极连接有电路输出端，第一MOS管的源极分别连接电路的输入端和三极管的集电极，二极管设置在三极管的发射极和基极之间，三极管的基极分别连接二极管的负极和第二恒流开关模块，第一电阻的一端与电路输入端连接，第一电阻的另一端与三极的基极连接，第一恒流开关模块和第二恒流开关模块均与触发源连接。本实用新型能够自适应不同的输入电压，拓宽了输入电压的范围。
基本信息
专利标题 ：
一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021465049.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN212627830U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
李志荣
申请人 ：
广东奥普特科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市长安镇锦厦社区河南工业区锦升路8号
代理机构 ：
天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 ：
潘俊达
优先权 ：
CN202021465049.1
主分类号 ：
H03K3/015
IPC分类号 ：
H03K3/015 H03K3/014 H03K3/353
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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