一种摇摆式籽晶表面腐蚀、清洗、烘干装置
授权
摘要
一种摇摆式籽晶表面腐蚀、清洗、烘干装置，属于半导体晶体生长技术领域，包括腐蚀槽和配套的腐蚀槽盖、设置在腐蚀槽底部中间位置的籽晶支撑平台以及配套设置在腐蚀槽两侧的高纯热氮气通入短直管、腐蚀液通入短直管、去离子水通入短直管、溢流排液短直管，所述高纯热氮气通入短直管、腐蚀液通入短直管和去离子水通入短直管的自由端均设有开关截止阀，所述装置还包括设置在腐蚀槽底部的摇摆机构。可对整个籽晶表面进行充分的腐蚀，并且使后道工序中籽晶的清洗和烘干工艺，有机统一结合，提高了工作效率。并且能大幅提升晶体生长时的晶体质量和晶体成品率。
基本信息
专利标题 ：
一种摇摆式籽晶表面腐蚀、清洗、烘干装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021546622.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-30
授权号 ：
CN212582038U
授权日 ：
2021-02-23
发明人 ：
姜剑孙聂枫孙同年王书杰邵会民付莉杰史艳磊李晓岚
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所;中国电子科技南湖研究院
申请人地址 ：
河北省石家庄市新华区合作路113号
代理机构 ：
石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
聂旭中
优先权 ：
CN202021546622.1
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B33/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-02-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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