适用于宽范围高电压输入的晶片启动电路
授权
摘要

本实用新型提供一种适用于宽范围高电压输入的晶片启动电路,其应用于提供一启动电压至包含于一太阳能电力系统或一电力电网系统之中的一脉宽调变控制晶片,且主要包括:一驱动单元、一开关单元与一稳压单元。其中,所述开关单元包含至少二个耐高压MOSFET元件,且所述稳压单元包含多个齐纳二极管。在宽范围高电压输入的应用下,耐高压MOSFET元件的导通使得本实用新型的晶片启动电路能够在最小的启动时间差异(甚至无差异)的情况下提供启动电压至所述脉宽调变控制晶片。同时,在启动电压的供应过程中,本实用新型的晶片启动电路不会产生过多的损耗。

基本信息
专利标题 :
适用于宽范围高电压输入的晶片启动电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021554990.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-31
授权号 :
CN213027808U
授权日 :
2021-04-20
发明人 :
李杨兵邹明辉何马超
申请人 :
苏州明纬科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市相城区黄埭镇潘阳工业园东桥建民路77号
代理机构 :
苏州市指南针专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
金香云
优先权 :
CN202021554990.0
主分类号 :
H02M1/36
IPC分类号 :
H02M1/36  
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法律状态
2021-04-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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