一种带瓷柱的低压熔断器结构

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摘要

一种带瓷柱的低压熔断器结构，包括在绝缘壳体中设有熔体，绝缘壳体的两端设有触刀，各触刀包括在一焊盘的外侧面上设有一触刀柄，两焊盘之间设有一瓷柱，多条熔体分别连接在两焊盘之间且环设在瓷柱外周，各熔体中凸出形成多个弯折段，弯折段中设有至少一个使熔体的导电截面积减小的窄颈，熔体的一侧面形成弯折段，熔体的另一侧面上连接有一可对熔体进行固定的固定带。本实用新型可利于熔体的散热，且可提高熔体的稳固性，保证产品性能。

基本信息

专利标题：

一种带瓷柱的低压熔断器结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021620827.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-06

授权号：

CN212783367U

授权日：

2021-03-23

发明人：

朱泽江王飞来郑恭励许贵秋

申请人：

好利来（厦门）电路保护科技有限公司

申请人地址：

福建省厦门市翔安区舫山东二路829号

代理机构：

厦门市新华专利商标代理有限公司

代理人：

卢丽红

优先权：

CN202021620827.X

主分类号：

H01H85/47

IPC分类号：

H01H85/47 H01H85/08 H01H85/055 H01H85/153