一种高压ESD保护电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压ESD保护电路，包括至少两个NMOS管；各NMOS管串联后接入电源端与地之间；电源端与地端之间还设有RC串联电路，各NMOS管的栅极相连后连接至所述RC串联电路的电阻器与电容器之间；还包括：在串联的NMOS管与RC串联电路之间设置反相器，和/或通过所述NMOS管构造快速驱动电路；本实用新型高压ESD保护电路，内部电路采用薄栅氧低压器件来实现耐高压设计，具体通过串联的多个NMOS管(薄氧化层)和反相器提高ESD结构的耐高压能力，避免使用额外的厚氧化层高压器件，从而减少了厚氧化层高压器件工艺，降低了芯片的制造加工成本，从而降低了芯片的总成本，提升了产品的利润空间，增强产品竞争力。
基本信息
专利标题 ：
一种高压ESD保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021682676.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212518401U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
马树永
申请人 ：
伟芯科技（绍兴）有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区人民东路1433号百酷时尚产业园2号楼317室
代理机构 ：
北京酷爱智慧知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟继莲
优先权 ：
CN202021682676.0
主分类号 ：
H02H9/04
IPC分类号 ：
H02H9/04
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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