一种基于MOS内阻的恒流恒压检测电路

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本实用新型公开了一种基于MOS内阻的恒流恒压检测电路，包括运算放大器U1A，运算放大器U1B，MOS管Q1，电阻R1，电阻R6，电阻R5，电阻R9，电容C3，电阻R8，电容C1，电容C4。本实用新型提供一种基于MOS内阻的恒流恒压检测电路，不仅能够更好的降低电路的功耗，提高电路的效率，同时还能使得电路具备关断控制的能力，更好的提高了电路的使用效果，促进了行业的发展。

基本信息

专利标题：

一种基于MOS内阻的恒流恒压检测电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021689457.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-13

授权号：

CN212723158U

授权日：

2021-03-16

发明人：

庞继浩何远健贾红叶

申请人：

安徽省东科半导体有限公司

申请人地址：

安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401

代理机构：

成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

成实

优先权：

CN202021689457.5

主分类号：

G01R31/00

IPC分类号：

G01R31/00

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/00

电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）

法律状态

2021-11-09 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : G01R 31/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 安徽省东科半导体有限公司
变更后 : 东科半导体（安徽）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401
变更后 : 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401

2021-03-16 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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