体积小且抗电压冲击的整流桥
授权
摘要
本实用新型公开了一种体积小且抗电压冲击的整流桥，属于半导体元器件技术领域。它包括封装壳体、引线框架、整流芯片和过压保护芯片，引线框架包括层叠设于所述封装壳体内的第一框架、第二框架和第三框架，整流芯片包括设于所述第一框架和所述第二框架之间的第一层芯片和设于所述第二框架和所述第三框架之间的第二层芯片，过压保护芯片设于所述第一框架和所述第三框架之间，所述过压保护芯片位于所述整流芯片水平方向的一侧。本实用新型的产品在PCB板上占用的平面空间小，解决了PCB板上的空间利用率问题，利于整流桥产品的微型化发展。
基本信息
专利标题 ：
体积小且抗电压冲击的整流桥
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021702591.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN214705925U
授权日 ：
2021-11-12
发明人 ：
朱坤恒
申请人 ：
苏州旭芯翔智能设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区唯新路50号11幢308
代理机构 ：
苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
丁秀华
优先权 ：
CN202021702591.4
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2021-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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