一种低衰耗半导体发光二极管
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摘要
本实用新型涉及半导体发光二极管技术领域,尤其涉及一种低衰耗半导体发光二极管,解决现有技术中存在散热较差,焊接时容易造成二极管的损伤的缺点,包括底座、透镜、引脚、反光碗、密封胶水、金线、金属支架和芯片,所述反光碗设置在金属支架的顶端,且反光碗的外侧壁上设置有第一散热翅片,所述芯片和密封胶水设置在反光碗的内部,两个所述引脚设置在金属支架顶端的两侧,所述引脚通过金线与芯片连接,所述金属支架的外周壁上均匀设置有第二散热翅片,所述底座底端的边缘处均匀设置有定位部,所述底座的底端设置有铝基板和固定板,便于散热,可以降低二极管的光衰,使用寿命长,同时焊接之前可以对二极管进行定位,便于焊接。
基本信息
专利标题 :
一种低衰耗半导体发光二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021762484.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-21
授权号 :
CN213026191U
授权日 :
2021-04-20
发明人 :
高井山
申请人 :
江苏万丰照明集团有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市钟楼区邹区镇鹤溪村委诸西组跳板头303号
代理机构 :
常州哲专知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
钱锁方
优先权 :
CN202021762484.0
主分类号 :
H01L33/64
IPC分类号 :
H01L33/64 H01L33/48 H01L33/62
法律状态
2021-04-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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