卡罗酸加热系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种卡罗酸加热系统，所述卡罗酸加热系统包括：光刻胶清洗室，所述光刻胶清洗室内具有第一加热器，所述第一加热器用于放置待处理芯片，将所述待处理芯片加热至第一温度；预热槽，所述预热槽用于将硫酸加热到第二温度；试剂管路，所述试剂管路用于将双氧水与加热到所述第二温度的硫酸混合为卡罗酸，通过所述卡罗酸清洗加热到所述第一温度的待处理芯片的表面，以去除所述待处理芯片表面的光刻胶；其中，所述第一温度大于所述第二温度。应用本实用新型提供的卡罗酸加热系统，系统结构简单，可以精确的控制芯片表面的温度，避免产片缺陷，提升良率，同时可以达到省电节能的作用。
基本信息
专利标题 ：
卡罗酸加热系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021816700.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN212485282U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
许忠晖王東銘陈嘉勇李嘉伦
申请人 ：
泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚璐华
优先权 ：
CN202021816700.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 G03F7/42
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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