一种低阻抗直流欠压过压反接保护电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种低阻抗直流欠压过压反接保护电路，其特征在于：包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和二极管D1。本实用新型涉及电路均由低成本的分立元件构成，开关器件使用半导体开关，有效延长了使用寿命并增加可靠性；电路简单，能在同一电路实现欠压过压反接保护，多功能低阻抗，对于便携式产品节约空间且节省功耗；有效地预防了正负反接烧毁电源甚至引起火灾等灾害。
基本信息
专利标题 ：
一种低阻抗直流欠压过压反接保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021830297.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN212875375U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
李骁军马金波李居华马昌赞向天虎
申请人 ：
上海飞博激光科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区叶城路1288号6幢J2018室
代理机构 ：
上海申汇专利代理有限公司
代理人 ：
徐俊
优先权 ：
CN202021830297.1
主分类号 ：
H02H3/20
IPC分类号 ：
H02H3/20 H02H3/24 H02H7/12 H02M1/32
法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
