适用于低功耗CMOS LDO的折返式限流保护电路
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了适用于低功耗CMOS LDO的折返式限流保护电路,应用于模拟电路技术和半导体集成电路技术领域,包括电流采样单元、第一基准电流单元、导通控制单元、第二基准电流单元和功率管单元;电流采样单元与第一基准电流单元、导通控制单元、功率管单元连接;电流采样单元用于检测功率管单元电流;导通控制单元与所述第二基准电流单元连接;本实用新型可以更好得保护芯片在过流尤其时短路时候不至于因发热而损坏;该电路亦可应用于其他需要根据输出调节电路限流电流的应用场景。
基本信息
专利标题 :
适用于低功耗CMOS LDO的折返式限流保护电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021839993.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-28
授权号 :
CN212460405U
授权日 :
2021-02-02
发明人 :
张庆亚付美俊靳瑞英
申请人 :
江苏帝奥微电子股份有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市苏通科技产业园纬14路16号
代理机构 :
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
周新楣
优先权 :
CN202021839993.9
主分类号 :
G05F1/573
IPC分类号 :
G05F1/573
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统,即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
G05F1/565
除对系统输出偏差敏感的装置外,还检测系统一个工况或它的负载的,例如还检测电流、电压、功率因数
G05F1/569
用于保护的
G05F1/573
用过流检测器的
法律状态
2021-08-13 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G05F 1/573
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏帝奥微电子股份有限公司
变更后 : 江苏帝奥微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 226000 江苏省南通市苏通科技产业园纬14路16号
变更后 : 226000 江苏省南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏帝奥微电子股份有限公司
变更后 : 江苏帝奥微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 226000 江苏省南通市苏通科技产业园纬14路16号
变更后 : 226000 江苏省南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层
2021-02-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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