一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置
授权
摘要
本实用新型为了解决载气装置使得载气在不与液态MO源物质反应的同时使得整个系统输送到工艺室内的液态MO源的蒸汽没有杂质的问题，提出一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置，采用氮气、氢气或者氩气作为载气，性能稳定，不易燃烧，不会爆炸，载气管路和液态源管路通过第一辅助管路连通，液态源管路的输出端还连接真空管路，通过第一辅助管路、真空管路和载气管路的配合，对整个液态源气化系统管道进行清洗，排除残渣。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021842376.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
CN213013086U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
孙飞
申请人 ：
苏州尚勤光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区唯新路91号2号楼236室
代理机构 ：
江苏昆成律师事务所
代理人 ：
刘尚轲
优先权 ：
CN202021842376.4
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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