一种用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器

授权

摘要

本实用新型涉及一种用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器，包括输入端匹配电路、宽频带的单片低噪声放大电路。输入端匹配电路与单片低噪声放大电路级联，主要通过电容C1、C2，电感L1和电阻R1对单片放大电路输入端口进行匹配进而优化放大器的噪声和端口回波损耗等性能；单片低噪声放大电路包括三级应变高电子迁移率晶体管、匹配电路和偏置电路组成。通过采用本实用新型公开的低噪声放大器，能够稳定用于超低温的液氦温区，在2GHz～15GHz的宽频带范围内，增益大于32dB，噪声温度小于10K，通过改变外输入端匹配电路可以实现更为优异的窄带性能，器件具有噪声低、体积小、匹配方便等特点，能够应用于深空探测、射电天文等领域的接收系统中。

基本信息

专利标题：

一种用于液氦温区输入端口可外匹配的单片低噪声放大器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021848652.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-28

授权号：

CN212278201U

授权日：

2021-01-01

发明人：

何川王生旺王自力张诚刘盼盼

申请人：

中国电子科技集团公司第十六研究所

申请人地址：

安徽省合肥市高新区望江西路658号

代理机构：

合肥天明专利事务所(普通合伙)

代理人：

苗娟

优先权：

CN202021848652.8

主分类号：

H03F1/42

IPC分类号：

H03F1/42