可控硅整流多绕组变压器的绕组结构

授权

摘要

本实用新型涉及变压器设备领域，具体涉及可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，包括铁芯和多个绕组，绕组包括在铁芯周向上按幅向结构依次排列的LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。本实用新型减小了铁芯的尺寸，在相同尺寸铁芯的条件下能够配合更多的绕组，并能够在后续整流时进行更多组合叠加得到多个直流电流。

基本信息

专利标题：

可控硅整流多绕组变压器的绕组结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021863339.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-31

授权号：

CN212625109U

授权日：

2021-02-26

发明人：

陈恒云

申请人：

重庆祥龙电气股份有限公司

申请人地址：

重庆市铜梁区蒲吕镇龙山大道23号

代理机构：

重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

陈家辉

优先权：

CN202021863339.1

主分类号：

H01F27/28

IPC分类号：

H01F27/28 H01F27/34 H01F27/29 H01F27/30