一种具有对称性屏蔽栅和控制栅的栅结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有对称性屏蔽栅和控制栅的栅结构，该栅结构包括：在PLD区中间设有贯穿N区的控制区和并延伸至P‑区的屏蔽区，在控制区中的两个控制栅，两个控制栅上表面的栅极，在屏蔽区的一个屏蔽栅，屏蔽栅与控制栅之间有一定间隔，且屏蔽栅的两侧与控制栅两侧对齐，控制区采用高K绝缘材料，屏蔽区采用硅氧化物材料，两个控制栅采用多晶硅材料，一个屏蔽栅采用导电材料。该栅结构通过屏蔽栅的耦合可以提高该栅结构在功率器件中的开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种具有对称性屏蔽栅和控制栅的栅结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021871049.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN212659545U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
陈利陈译陈彬
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
代理机构 ：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏娟
优先权 ：
CN202021871049.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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