单晶炉用铜电极陶瓷保护套及单晶炉
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摘要

一种单晶炉用铜电极陶瓷保护套及单晶炉,包括上部护套、中部护套、下部护套,下部护套的顶部固定设置有第一凸边、第二凸边,第一凸边、第二凸边对向设置,中部护套设置在下部护套的上方,中部护套的底部表面上开设有第一凹槽、第二凹槽,第一凹槽、第二凹槽对向设置,第一凸边、第二凸边能够分别卡入到第一凹槽、第二凹槽内部,将中部护套与下部护套相连接,上部护套的底部表面上开设有沉孔,中部护套的顶部卡入到沉孔中,使中部护套与上部护套相连接,沉孔的底部开设有定位孔,定位孔贯穿上部护套;本实用新型在使用时,只需要将开裂位置的护套拆除,重新安装上完好的护套即可,完全不需要将陶瓷护套整体全部拆除,大大降低了生产成本。

基本信息
专利标题 :
单晶炉用铜电极陶瓷保护套及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021879758.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-01
授权号 :
CN212865061U
授权日 :
2021-04-02
发明人 :
王忠保李美平马成
申请人 :
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
曹广涛
优先权 :
CN202021879758.4
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-04-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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