MOS管的保护电路
授权
摘要
本申请涉及过流保护领域，提供了一种MOS管的保护电路，包括：采样放大电路，与所述MOS管连接，用于对所述MOS管的电流进行采样并放大，输出电流采样电压；比较电路，与所述采样放大电路连接，用于将所述电流采样电压与一基准电压比较，根据比较结果输出控制信号；锁存电路，连接在所述比较电路和所述MOS管的驱动芯片之间，所述锁存电路用于基于所述控制信号和PWM信号控制所述驱动芯片驱动所述MOS管的通断，以控制其电流在一定阈值以下。通过采样并放大MOS管的电流，将采样电压和基准电压比较，根据比较结果对驱动MOS管的PWM信号进行锁存或释放，控制MOS管的电流在一定阈值以下，实现对MOS管的过流保护，提高MOS管的寿命和电路安全性。
基本信息
专利标题 ：
MOS管的保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021883421.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN213585727U
授权日 ：
2021-06-29
发明人 ：
曾勇平范文华周升
申请人 ：
深圳市优必选科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园C1栋16、22楼
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘永康
优先权 ：
CN202021883421.0
主分类号 ：
H03K17/08
IPC分类号 ：
H03K17/08
法律状态
2021-06-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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