一种锗晶体生长设备自动加料装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种锗晶体生长设备自动加料装置，包括底座，底座上嵌入固定安装有第一气缸，第一气缸的输出端固定安装有L形连接杆，底座上且远离第一气缸的一侧嵌入固定安装有第二气缸，第二气缸的输出端固定安装有升降机构，升降机构远离第二气缸输出端的一端固定安装有储料机构，储料机构的顶端与L形连接杆固定连接，底座上且靠近储料机构的一端固定安装有限位圈，储料机构远离L形连接杆的一端插入限位圈内，储料机构的底端固定安装有加料管，加料管的底端固定安装有注料嘴，本实用新型一种锗晶体生长设备自动加料装置，本加料装置通过注料嘴对液相锗进行分流处理，减小其对培养液产生的冲击，大大提高了锗晶体生长环境的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种锗晶体生长设备自动加料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021883457.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-02
授权号 ：
CN213538162U
授权日 ：
2021-06-25
发明人 ：
杨辉薛武鹏李奎程涛
申请人 ：
陕西欣宇材料科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市蓝田县华胥镇西北家具工业园新港三路付9号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021883457.9
主分类号 ：
C30B29/08
IPC分类号 ：
C30B29/08 C30B7/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/08
锗
法律状态
2021-06-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
