一种用于消除晶锭内应力的装置
授权
摘要
本申请公开了一种用于消除晶锭内应力的装置，包括：振动台，所述振动台上设置有低频振动区和超声振动区，所述低频振动区的振动频率小于500Hz，所述超声振动区的振动频率大于20kHz，所述晶锭依次在所述低频振动区和所述超声振动区进行振动处理。本申请提供的用于消除晶锭内应力的装置，使得晶锭依次经过低频共振时效处理和超声波处理，其中低频共振时效处理在起到释放晶锭内部分残存应力的同时，还能使残存于晶锭内部的应力得到均化，以减少晶锭内应力较大的点位或减轻该点位处的应力，有效防止因晶锭内部存在应力较大点位而造成的晶锭开裂。与现有技术相比，本申请提供的装置操作简单，处理快速，并能够显著提升碳化硅晶锭内应力的消除效果。
基本信息
专利标题 ：
一种用于消除晶锭内应力的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021885273.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
CN213835629U
授权日 ：
2021-07-30
发明人 ：
李帅赵建国李乃庆
申请人 ：
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 ：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘晓佳
优先权 ：
CN202021885273.6
主分类号 ：
C30B33/00
IPC分类号 ：
C30B33/00 C30B29/36 C30B30/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
法律状态
2021-07-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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