低温传感器器件
授权
摘要
本实用新型揭示了一种低温传感器器件，包括基底以及覆盖设置在所述基底上方的器件上盖，所述基底与所述器件上盖限定一收容空间，所述收容空间内置有一耐低温芯片，所述耐低温芯片通过耐低温胶水层固定于所述基底上，所述基底与所述器件上盖通过耐低温胶水层相固定，所述基底的上表面上镀制有金属膜，所述金属膜的部分置于所述收容空间内，并通过一金丝与所述耐低温芯片导通，另一部分置于所述收容空间外延伸至裸露台上，与两根镀金铜线分别导通。本实用新型技术方案提高了低温传感器器件的可靠性，器件性能稳定，低应力，也降低了封装的难度，封装全程无需在高温条件下作业，减少了测温传感器因高温带来的氧化问题，对芯片损伤小。
基本信息
专利标题 ：
低温传感器器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021930473.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-07
授权号 ：
CN212963736U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
王建国申亚琪
申请人 ：
苏州捷研芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区05幢102室
代理机构 ：
南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陆明耀
优先权 ：
CN202021930473.9
主分类号 ：
G01K1/12
IPC分类号 ：
G01K1/12 G01K1/14 G01K13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01K
温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件
G01J9/00
测量光学相位差；测定相干性的程度；测量光学波长
G01J9/04
通过差拍同一光源但频率不同的两个波而测量所获得的较低频率的相位偏移
G01K1/12
防止过热损坏的
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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