晶体硅太阳能电池背电极图形结构

授权

摘要

本实用新型属于光伏发电技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构，包括位于电池背面上的电极图形，所述的电极图形包括主栅、副栅和pad点，所述的主栅和pad点为银浆料层，所述的副栅为铝浆料层。本实用新型提供的晶体硅太阳能电池背电极图形结构在主栅的材料上用银浆代替了铝浆，增加了pad点数量，设计了副栅汇流条，加强了主栅导流能力，有利于提升短路电流，降低串联电阻，从而提升了组件功率，减少了内部电损耗。同时，为了降低工艺精度要求，设计了副栅渐变加粗结构，保证了副栅基体和pad点的良好接触。

基本信息

专利标题：

晶体硅太阳能电池背电极图形结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021944340.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-08

授权号：

CN212303685U

授权日：

2021-01-05

发明人：

张原周超高纪凡陈红李森

申请人：

天合光能股份有限公司

申请人地址：

江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

代理机构：

浙江永鼎律师事务所

代理人：

郭小丽

优先权：

CN202021944340.7

主分类号：

H01L31/0224

IPC分类号：

H01L31/0224