图像传感器

授权

摘要

本申请公开了一种图像传感器，包括：成像晶圆，具有前表面和后表面，包括；位于前表面和后表面之间的SPAD阵列，SPAD阵列包括：第一类型外延层：阴极区域，位于第一类型外延层中并具有第二类型掺杂层；第一类型掺杂层，位于所述阴极区域上方，第一类型掺杂层与第二类型掺杂层的交界处为雪崩区；阳极区域，包围第一类型外延层的四周和靠近后表面的一侧并具有第一类型深掺杂层；隔离层，包围阳极区域的四周；覆盖前表面的金属反射层、介电层和顶层金属层，阴极区域和阳极区域分别通过通孔贯穿金属连接层并连接顶层金属层；依次覆盖后表面的高k介电层、红外滤波层和抗反射层；逻辑晶圆，位于前表面下方并附接成像晶圆。

基本信息

专利标题：

图像传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021947902.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-08

授权号：

CN213124440U

授权日：

2021-05-04

发明人：

东尚清

申请人：

上海大芯半导体有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路200号2幢3层

代理机构：

上海启核知识产权代理有限公司

代理人：

王仙子

优先权：

CN202021947902.3

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 H01L31/107