一种双加热晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开一种双加热晶体生长装置,包括:炉外壳以及设置于炉外壳内的石墨坩埚,还包括:双加热器组件,包括:用于为石墨坩埚上部加热的上加热器和用于为石墨坩埚,上加热器和下加热器相互独立控制;保温组件,保温组件围成密闭保温腔,上加热器、下加热器以及石墨坩埚设置于保温腔内;测温组件,测温组件包括至少两个用于检测保温腔不同位置温度的测温仪。本实用新型两加热器独立控制,可以提供更精确可控的温度梯度,温度控制范围更宽;测温组件包括至少两个测温仪,能进行多温区测试。本实用新型能较好得调节特定晶体生长时的温度梯度,便于生长完整性好、无气泡无包络、尺寸大且成品率高的晶体。
基本信息
专利标题 :
一种双加热晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021948237.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-08
授权号 :
CN213739774U
授权日 :
2021-07-20
发明人 :
陈伟曹顿华华伟潘国庆李力董永军
申请人 :
南京光宝光电科技有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市经济技术开发区恒达路3号高通基地第A01、A03室
代理机构 :
苏州华博知识产权代理有限公司
代理人 :
黄丽莉
优先权 :
CN202021948237.X
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00 C30B29/12
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2021-07-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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