一种芯片防伪微码识别结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种芯片防伪微码识别结构，涉及芯片防伪技术领域。本实用新型的芯片防伪微码识别结构包括支撑垫层、金属层、设置于金属层表面的光学识别码层；金属层包括Dummy金属的发射极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、栅极PAD、trench栅极连接总线、trench栅极结构刻蚀窗口、dummy栅极结构刻蚀窗口。本实用新型芯片防伪微码识别结构具有内部为旋涡型的trench栅极连接总线，增强对金属层结构的保护作用，从而增大了器件的击穿电压；设计简单明了，实用性强；射频矩阵读取和光学设备读取两种识读方法相互依存，互为校验，安全性和便捷性大幅增加；具有良好追溯效果。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片防伪微码识别结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021959507.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
CN213340371U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
冯骅
申请人 ：
冯骅
申请人地址 ：
上海市普陀区武宁一村31号401室
代理机构 ：
广州专理知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张凤
优先权 ：
CN202021959507.7
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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