一种单晶硅用上料装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶硅用上料装置，包括底座，所述底座的上端一侧固定连接有熔炉主体，所述底座的上端且相对于熔炉主体的一侧固定连接有支撑座，所述支撑座的上端固定连接有第一电动推杆若干，所述第一电动推杆的一端固定连接有支撑块，所述支撑块的上端一侧固定连接有第二电动推杆，所述第二电动推杆的一端设置有第一活动销轴，所述第一活动销轴的侧面固定连接有输送箱，所述输送箱的上端固定连接有支撑杆若干，所述支撑杆的一端固定连接有支撑板，所述支撑板的中部固定连接有真空箱，所述真空箱的下端设置有导料管，所述真空箱的上端一侧设置有真空泵。本实用新型中，可有效进行一个上料使用。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅用上料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021960419.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
CN213266793U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
王志伟
申请人 ：
天津锋铠途科技有限公司
申请人地址 ：
天津市北辰区宜兴埠镇华盛道南侧（格林豪泰酒店旁）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021960419.9
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06 F27D3/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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