一种单层电容测试台及测试设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种单层电容测试台及测试设备。所述单层电容测试台包括，置放部包括设置有置物面的置物块，所述置物面设置有吸附孔，单层电容通过所述吸附孔固定于所述置物面，所述置物块电连接于单层电容的第一电极。便于对单层电容固定并测试，提升单层电容的测试效率。
基本信息
专利标题 ：
一种单层电容测试台及测试设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021962109.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-10
授权号 ：
CN213240347U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
杨应俊韦日文刘振辉周业强
申请人 ：
矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021962109.0
主分类号 ：
G01R31/00
IPC分类号 ：
G01R31/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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