一种直流漏磁通屏蔽可控电抗器
授权
摘要
一种直流漏磁通屏蔽可控电抗器，在可控电抗器每相线圈的外层，采用环氧浇注工艺浇注一层磁场屏蔽层，磁场屏蔽层和可控电抗器的铁芯共同形成磁通回路，屏蔽控制绕组产生的直流漏磁通。
基本信息
专利标题 ：
一种直流漏磁通屏蔽可控电抗器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021966773.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-10
授权号 ：
CN212990892U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
危佳仪危文刚郭海瑛
申请人 ：
武汉诺金信科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市江岸区黑泥湖工业园8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021966773.2
主分类号 ：
H01F27/36
IPC分类号 ：
H01F27/36 H01F27/24 H01F27/245
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F27/00
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H01F27/34
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H01F27/36
电或磁的屏蔽或遮蔽
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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