软启动电路、软启动低压差线性稳压器

授权

摘要

本申请提供一种软启动电路和软启动低压差线性稳压器，其中软启动电路包括：第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、阻性器件、第三NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和容性器件。第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极，第一NMOS管的漏极与其栅极相连接；第二NMOS管的漏极连接阻性器件，第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极，第二PMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极；第三NMOS管的漏极连接第二PMOS管的漏极，第三NMOS管的栅极连接阻性器件；容性器件并联于第三NMOS管的漏极和源极两端；第三PMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极。该电路相较常规方法功耗更低，面积更小，适用于低压器件工艺下的高压输入。

基本信息

专利标题：

软启动电路、软启动低压差线性稳压器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021996580.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-11

授权号：

CN213185874U

授权日：

2021-05-11

发明人：

武世明

申请人：

湖南国科微电子股份有限公司

申请人地址：

湖南省长沙市长沙经济技术开发区泉塘街道东十路南段9号

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

钟扬飞

优先权：

CN202021996580.1

主分类号：

H02M1/36

IPC分类号：

H02M1/36 H02M1/32