汞灯箱结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种汞灯箱结构，其用于半导体硅片边缘曝光工艺，包括：灯箱体用于容置汞灯，其底壁上形成有可调光圈，其一侧壁上形成有灯箱门；汞灯固定在可调光圈上方的灯箱体顶壁上；照度传感器安装在灯箱体内，其用于检测汞灯照度；温度传感器安装在灯箱体内，其用于灯箱体内温度；电源控制面板安装在灯箱体外侧壁上，其用于控制各用电部件的电源；显示装置安装在灯箱体外侧壁上，其用于显示照度传感器和/或温度传感器采集参数。本实用新型能实时监控汞灯寿命，能避免晶圆传送至于光刻位置后才发现照度不足产生非计划性宕机的情况。
基本信息
专利标题 ：
汞灯箱结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022020302.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
CN213457646U
授权日 ：
2021-06-15
发明人 ：
黄斌
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦天雷
优先权 ：
CN202022020302.9
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2021-06-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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