一种可测量硅芯直径的硅芯炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种可测量硅芯直径的硅芯炉，包括炉体，所述炉体的端壁设有若干个硅芯出料口，若干个所述硅芯出料口呈圆周排布，所述炉体的端壁且位于若干个所述硅芯出料口之间设有箱体，所述箱体的内表面中间位置固定安装有座体，所述座体的侧壁设有若干个与硅芯出料口相对应的压力传感器，所述压力传感器与外设的计算机电性连接，所述箱体的侧壁贯穿有若干个与压力传感器相对应的滑孔，所述滑孔内滑动连接有压杆，本实用新型可在生产过程中，测量出某段硅芯棒的直径变化，当其中有的位置不符合标准时，可对炉体内的生产装置调节，生产出符合标准的硅芯棒，防止对硅芯棒切割后得到的硅芯品质出现问题。
基本信息
专利标题 ：
一种可测量硅芯直径的硅芯炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022043083.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN211872149U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
金胜薛建云施红亮邱风
申请人 ：
新疆登博新能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市高新技术产业开发区经五路6号新疆索科斯新材料公司院内(昌高区1丘24栋)
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN202022043083.6
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06 G01B5/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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