低嵌位电压的单向TVS芯片结构
授权
摘要
本实用新型提供一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其包括P型衬底、N型扩散区、N+扩散区、P+扩散区、表面结构和第一金属电极，N型扩散区设置在P型衬底一端，多个N+扩散区设置在P型衬底远离N型扩散区一端，多个P+扩散区设置在N型扩散区上，表面结构设置在N型扩散区远离P型衬底一端，用于芯片封装焊接；第一金属电极设置在N+扩散区远离P型衬底一端，用于封装电极焊接导电。本实用新型的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，整体结构简单，体积小，占用线路板空间小，可有效保护后端损坏电压不高的线路。
基本信息
专利标题 ：
低嵌位电压的单向TVS芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022049564.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN212725317U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
刘宗贺
申请人 ：
深圳长晶微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
代理机构 ：
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李捷
优先权 ：
CN202022049564.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
