一种蓝光纳米环光放大器
授权
摘要
本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种蓝光纳米环光放大器技术方案，该方案包括蓝宝石衬底，缓冲层，底部GaN同质结分布布拉格反射镜层，下势垒层，有源层，电流注入层，上势垒层，顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层，欧姆接触层。该方案先采用ICP刻蚀出纳米环基本结构，再利用电化学刻蚀技术继续刻蚀，最终实现一种蓝光纳米环光放大器，能有效减小ICP刻蚀所引入的缺陷。本实用新型之方法易于控制，工艺稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种蓝光纳米环光放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022091165.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN213520698U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
曾丽娜李林李再金杨云帆乔忠良李功捷陈浩赵志斌刘国军曲轶彭鸿雁
申请人 ：
海南师范大学
申请人地址 ：
海南省海口市龙昆南路99号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022091165.8
主分类号 ：
H01S5/187
IPC分类号 ：
H01S5/187 H01S5/343 H01S5/50
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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