接触器灭弧室改良结构
授权
摘要

接触器灭弧室改良结构,其特征在于:它包括产气件本体,所述产气件本体上设有若干栅片安装槽用以安装灭弧栅片,所述产气件本体的底端侧设置有增磁块安装槽用以安装增磁块,所述增磁块安装槽位于所述产气件本体内侧的一侧面上设有密封结构用以将产气件本体与静触板形成密闭环境,所述产气件本体的前侧端设置有永磁体安装槽。通过对现有产气件,密封件、增磁块、永磁体和栅片之间结构位置的改进,从而对电弧形成有效的“封堵”,使之仅能朝着灭弧室移动,防止电弧向外部运动,进而大大提升了原先产品的灭弧能力,为产品能通过电寿命试验以及分断试验提供了可靠的保障。

基本信息
专利标题 :
接触器灭弧室改良结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022157592.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-27
授权号 :
CN214012835U
授权日 :
2021-08-20
发明人 :
龚祚勇韩伟常杨黄晓梦杨龙生
申请人 :
上海良信电器股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区申江南路2000号
代理机构 :
上海申新律师事务所
代理人 :
竺路玲
优先权 :
CN202022157592.1
主分类号 :
H01H50/02
IPC分类号 :
H01H50/02  H01H50/04  H01H50/38  H01H9/30  H01H9/34  H01H9/44  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关;继电器;选择器;紧急保护装置
H01H50/00
电磁继电器的零部件
H01H50/02
底座;外壳;盖
法律状态
2021-08-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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