用于防止放电的设备和电子设备
授权
摘要
本公开的各实施例涉及用于防止放电的设备和电子设备。提供了用于防止放电设备。用于防止放电的一个这种设备包括半导体衬底和在半导体衬底中的隔离沟槽。隔离沟槽包括包含气体的封闭空间。根据本公开的实施例，提供了改进的防止和防护静电放电的设备。
基本信息
专利标题 ：
用于防止放电的设备和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022197941.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN212750896U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
M·布夫尼彻尔
申请人 ：
意法半导体(图尔)公司
申请人地址 ：
法国图尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202022197941.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/764
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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