一种声发射传感器
授权
摘要

本实用新型涉及一种声发射传感器,其包括底座、端盖、磁铁及光纤光栅,所述底座中部分别设置有光纤容纳槽和磁铁容纳槽,所述光纤光栅固定设置在所述光纤容纳槽内,所述磁铁设置在所述磁铁容纳槽内,所述端盖与所述底座活动连接,所述端盖将所述光纤容纳槽和磁铁容纳槽密封。本实用新型所述的声发射传感器,在测量声发射信号后方便拆装并且反复使用性较高。

基本信息
专利标题 :
一种声发射传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022214805.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-29
授权号 :
CN214041267U
授权日 :
2021-08-24
发明人 :
潘天翔孟丽君谭昕
申请人 :
江汉大学
申请人地址 :
湖北省武汉市沌口经济技术开发区新江大路8号
代理机构 :
武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
易贤卫
优先权 :
CN202022214805.X
主分类号 :
G01N29/14
IPC分类号 :
G01N29/14  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N29/00
利用超声波、声波或次声波来测试或分析材料;靠发射超声波或声波通过物体得到物体内部的显像
G01N29/14
利用声波发射技术
法律状态
2021-08-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN214041267U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332