一种IGBT吸收电容
授权
摘要
本实用新型公开了一种IGBT吸收电容，包括外壳体，外壳体内腔安装第一电容器芯子和第二电容器芯子，外壳体上端面分别安装第一电极片和第二电极片，外壳体下端面分别安装第三电极片和第四电极片，第一电极片和第三电极片分别与第一电容器芯子连接，第二电极片和第四电极片分别与第二电容器芯子连接，第一电极片连接第一接线端子，第二电极片连接第二接线端子，第一接线端子和第二接线端子分别与IGBT电性连接，第一电容器芯子、第二电容器芯子与外壳体内侧壁分别安装第一支撑组件，第一电容器芯子和第二电容器芯子之间安装第二支撑组件，本实用新型结构设计新颖，用于IGBT的高脉冲吸收，对IGBT起保护作用，能承受点电流冲击和低功耗，高可靠性，使用寿命长。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT吸收电容
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022251171.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
CN213183992U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
李健光李泰甫朱永光
申请人 ：
南通向日亚精密机电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市通州区兴仁镇工业园区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022251171.5
主分类号 ：
H01G2/10
IPC分类号 ：
H01G2/10 H01G2/08 H01G4/38 H01G4/224
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G2/00
H01G4/00-H01G11/00组中单个组未包含的电容器的零部件
H01G2/10
外壳；封装
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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