一种N型硅片的性能评估系统
授权
摘要
本实用新型公开了N型硅片的性能评估系统，包括输送单元、第一测试单元、第二测试单元、及控制处理单元，控制处理单元用于发送第一输送信号至输送单元；输送单元用于根据第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元；第一测试单元用于测试n个硅片样品的少子寿命；控制处理单元还用于根据n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至输送单元；输送单元还用于根据第二输送信号将n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元；第二测试单元用于测试m个硅片样品的电阻率；控制处理单元还用于根据测试结果进一步对N型硅片性能进行评估。本实用新型旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。
基本信息
专利标题 ：
一种N型硅片的性能评估系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022256178.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
CN212625493U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
杜娟张敏卢刚
申请人 ：
青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请人地址 ：
青海省西宁市西宁经济技术开发区昆仑东路20号
代理机构 ：
深圳市铭粤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙伟峰
优先权 ：
CN202022256178.6
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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