一二次深度融合柱上智能断路器
授权
摘要
本实用新型提供了一二次深度融合柱上智能断路器，包括ZW32型或ZW20型10kV柱上真空断路器的开关本体和控制终端，所述开关本体的侧面安装有就地分合把手，且顶部安装有三个固封极柱，三个所述固封极柱分别并联在10kV的高压电路上，每个所述固封极柱上分别设有综合传感器，所述综合传感器包括进线侧电压传感器、出线侧电压传感器、嵌入式电流传感器；所述固封极柱的下部还包括：单相永磁驱动机构和电子取电装置。本实用新型通电子式电压传感器、电子式电流传感器等传感器，实现柱上断路器的测量采集，满足一二次融合技术规范中对测量、保护、接地检测、线损计量、故障录波等多重需求，提供一款性能更优、防潮密闭更好的产品。
基本信息
专利标题 ：
一二次深度融合柱上智能断路器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022266686.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
CN212990980U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
钱云贵史进宗罗海波姚舟华潘文超刘斌斌薛飞季国鹏
申请人 ：
上海道博电气有限公司
申请人地址 ：
上海市青浦区华新镇北青公路3638号17幢
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022266686.2
主分类号 ：
H01H33/662
IPC分类号 ：
H01H33/662 H01H1/58 G01R31/327 G01R31/52 G01R31/08 G01R19/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H33/00
带有灭弧或防弧装置的高压或大电流开关
H01H33/60
不包括单独为产生或增强灭弧流体流动装置的开关灭弧或防弧装置的开关
H01H33/66
真空开关
H01H33/662
外壳或者保护屏
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
