一种基于光学增透膜的透射式GaAs光电阴极
授权
摘要
本实用新型涉及一种基于光学增透膜的透射式GaAs光电阴极，涉及微光夜视技术领域。包括自一端至另一端依次叠层设置的玻璃窗、光学增透膜、Ga1‑xAlxAs缓冲层、GaAs发射层、Cs：O激活层。本实用新型利用具有宽光谱增透效果的光学增透膜，替代当前具有窄光谱增透效果的Si3N4薄膜，则透射式光电阴极的光反射损失将极大地减少，从而提高宽光谱的吸收率和量子效率。
基本信息
专利标题 ：
一种基于光学增透膜的透射式GaAs光电阴极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022292033.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN213071056U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
蔡志鹏
申请人 ：
陕西理工大学
申请人地址 ：
陕西省汉中市东一环路1号
代理机构 ：
西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
梁静
优先权 ：
CN202022292033.1
主分类号 ：
H01J1/34
IPC分类号 ：
H01J1/34 H01J40/06 H01J9/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/34
光电发射阴极
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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