一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路，用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理，在不牺牲开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片，驱动电阻为电阻R，辅助电容为电容C，辅助MOSFET为P沟道MOSFET Qp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单，易于实现，可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022294764.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
CN214125140U
授权日 ：
2021-09-03
发明人 ：
邵天骢李志君郑琼林黄波王俊兴
申请人 ：
北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西直门外上园村3号
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王牌
优先权 ：
CN202022294764.X
主分类号 ：
H02M1/32
IPC分类号 ：
H02M1/32 H02M1/08
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法律状态
2021-09-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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