一种双面增加粘接层的平板型半导体
授权
摘要
本实用新型公开了一种双面增加粘接层的平板型半导体。为了克服现有技术平板型半导体陶瓷板与铜粒之间采用烧结的方式，使得其之间应力很大的问题；本实用新型包括陶瓷板、铜粒和导线，铜粒设置在两个陶瓷板之间，导线焊接在两个陶瓷板之间；所述的铜粒两侧与陶瓷板之间分别设置有采用导热胶水的粘接层；在陶瓷板之间的导线焊点处填充有胶水。半导体两侧的陶瓷板与铜粒之间设置有粘接层，能够有效释放应力，提高平板型半导体的可靠性。在焊点处填充满高强度胶水，能够保证增加双面粘接层的平板型半导体导线焊点处的结合力，避免因结合力低导致焊点脱开。
基本信息
专利标题 ：
一种双面增加粘接层的平板型半导体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022392194.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
CN213636037U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
包东升阮炜吕庆鑫
申请人 ：
浙江先导热电科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市常山县金川街道龙江路7号8幢、10幢
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202022392194.8
主分类号 ：
H01L35/32
IPC分类号 ：
H01L35/32 H01L35/08
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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