一种硅栅边沿触发器和移位寄存器
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅栅边沿触发器和移位寄存器。其中硅栅边沿触发器包括：时钟电路和两个回路；每个回路包括第一传输门、第二传输门、第一或非门、第二或非门和RC滤波电路；每个回路的数据输入端经第一传输门、RC滤波电路与第一或非门第一输入端相连，第一或非门的输出端与第二或非门的第一输入端相连，第二或非门的输出端经第二传输门与第一或非门的第一输入端连接；第一传输门、第二传输门的控制端信号由时钟电路提供。本实用新型提供的移位寄存器，包括多级串联的边沿触发器。本实用新型从电路结构和工艺版图两个方向分别进行抗辐射加固，成功提高该类时序逻辑电路的抗辐射能力和工作的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种硅栅边沿触发器和移位寄存器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022403210.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN213243951U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
张玉枚张薇邢康伟刘刚
申请人 ：
北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2192号
代理机构 ：
北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李超
优先权 ：
CN202022403210.9
主分类号 ：
H03K3/01
IPC分类号 ：
H03K3/01 H03K3/027 H03K19/003
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
